SK海力士今天宣布，其最新的超高(gāo)性能AI內(nèi)存産品HBM3E 1已開(kāi)始量産，并于3月下旬開(kāi)始向客戶供貨。七個(gè)月前，SK海力士宣布了 HBM3E 開(kāi)發的成功。

        SK 海力士是 HBM3E 的第一家(jiā)供應商，HBM3E 是一款具有(yǒu)性能最佳的 DRAM 芯片的産品，延續了 HBM3 的早期成功。該公司預計(jì) HBM3E 的成功量産，以及其作(zuò)為(wèi)業界首家(jiā) HBM3 供應商的經驗，将有(yǒu)助于鞏固其在人(rén)工智能內(nèi)存領域的領導地位。

        為(wèi)了構建一個(gè)能夠快速處理(lǐ)大(dà)量數(shù)據的成功的人(rén)工智能系統，半導體(tǐ)封裝應該以大(dà)量人(rén)工智能處理(lǐ)器(qì)和(hé)存儲器(qì)多(duō)重連接的方式組成。全球大(dà)型科技(jì)公司對人(rén)工智能半導體(tǐ)性能的要求越來(lái)越高(gāo)，SK海力士預計(jì)HBM3E将成為(wèi)他們滿足這種日益增長的期望的最佳選擇。

        最新産品在人(rén)工智能存儲器(qì)所需的所有(yǒu)方面（包括速度和(hé)熱量控制(zhì)）都是業界最好的。它每秒(miǎo)處理(lǐ)高(gāo)達 1.18TB 的數(shù)據，相當于一秒(miǎo)鍾處理(lǐ) 230 多(duō)部全高(gāo)清電(diàn)影(yǐng)（每部 5GB）。

        由于AI內(nèi)存的運行(xíng)速度極高(gāo)，控制(zhì)熱量是AI內(nèi)存所需的另一個(gè)關鍵條件。SK海力士的HBM3E采用先進的MR-MUF 2工藝，散熱性能較上(shàng)一代産品提高(gāo)了10% 。

        SK海力士HBM業務負責人(rén)Sungsoo Ryu表示，HBM3E的量産已經完善了該公司業界領先的AI內(nèi)存産品陣容。“憑借 HBM 業務的成功故事以及多(duō)年來(lái)與客戶建立的牢固合作(zuò)夥伴關系，SK 海力士将鞏固其作(zuò)為(wèi)整體(tǐ) AI 內(nèi)存提供商的地位。”