近年來(lái)高(gāo)帶寬內(nèi)存（HBM）的需求急劇(jù)上(shàng)升，尤其是人(rén)工智能（AI）熱潮的到來(lái)，讓這一趨勢愈加明(míng)顯，HBM産品的銷量節節攀升，價格也是水(shuǐ)漲船(chuán)高(gāo)。即便各個(gè)各個(gè)存儲器(qì)供應商不斷提升HBM的産能，仍然難以滿足市場(chǎng)的需求，傳聞SK海力士和(hé)美光至2025年底之前的HBM産能已經售罄。

        市場(chǎng)研究分析機構TrendForce發布了新的調查報告，稱得(de)益于比傳統DRAM高(gāo)出數(shù)倍的價格（約為(wèi)DDR5的五倍），加上(shàng)人(rén)工智能芯片的叠代需求，推動了2023年至2025年HBM産能的提升。2023年和(hé)2024年HBM分别占DRAM産能的2%和(hé)5%，到了2025年将提高(gāo)至10%以上(shàng)。産值方面，2024年占DRAM總産值超過20%，2025年可(kě)能提高(gāo)至30以上(shàng)。

        各個(gè)存儲器(qì)供應商今年第二季度開(kāi)始，已經針對2025年的HBM産品進行(xíng)議價，不過受制(zhì)于DRAM産能，為(wèi)避免産能排擠效應，初步漲價5~10%，覆蓋了HBM2E、HBM3和(hé)HBM3E。提前議價的原因有(yǒu)三點分，分别為(wèi)：一、買方對人(rén)工智能需求充滿信心，願意接受漲價；二、HBM3E良品率僅為(wèi)40~60%，還(hái)有(yǒu)待提升，買方希望穩定貨源；三、不同供應商因供應能力問題，導緻平均銷售單價出現差異，從而影(yǐng)響獲利。

        現階段HBM産品大(dà)規模轉向HBM3E，且會(huì)有(yǒu)更多(duō)12層堆疊芯片出現，帶動了HBM容量提升，預計(jì)2024年的HBM需求位元年成長率接近200%，到2025年有(yǒu)可(kě)能再翻倍。